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胡扯一点技术分析

我的经验分享:新手学投资,不要从技术分析开始

那是一堂财务课程,教授激起我们上课的兴趣,财务成绩是用模拟投资的绩效来决定,上课时也会教各种基本面、技术面 的分析方法。课后,我把图书馆所有跟投资理财有关的书全借回来看完。那时候图书馆里投资书籍的选择不多,我印象最深刻的,是有一本白色的技术分析的书 (书名我忘了),书的大小是比A4还大一点,厚度大约10公分,比5本书迭起来还厚的精装书。布尔通道、甘氏指针、SAR拋物线…上面写满了所有你听过和没听过的技术分析方法。我花了一个星期时间把它看完。看完所有技术分析,但还是不会赚钱,仔细查过以后,均线,发明在100年前,KD指标,发明在60年前,MACD指标,发明在40年前…100年前的东西,是不是适合现在呢?但是不管怎样,这些方法和指标对当时的我都很新鲜,所以我就在学校,把K线图一张一张印出来,开始练习画线、用Excel统计价格数据,把能试的技术指标都尽可能试过。

技术分析有时很厉害,但也有一大堆不准的地方

赚钱靠技术分析,与胜率没有半毛钱关系

胜率高不一定比较好,例如胜率90%,每次获利都赢 1元,但赔一次就输掉 100元,长期来说还是输钱。还有些方法胜率超低,但由于一次输钱有限,但一次赢面就超高,例如胜率只有 10%,输的时候一次赔 1元,但赢一次可以赚 100元,这样长期还是能赚钱,长期来说还是能赚钱。我之前听一位投资高手的分享,她的使用方法胜率只有10~20%,一般人很难接受,但是因为有靠多种技术线提高赚钱可能性,而且风险控制很严格,所以她仍有上亿身家。打开电视,常会听到某些古怪的人,说什么技术线黄金交叉,就一定会有事发生。这种说法过于关注在胜率 (因为观众爱看),但胜率高跟会赚钱根本是两件事。

准确度不太重要,重要的是要有赚钱的稳定度

从纸上分析结束之后,技术分析 就暂时没有成为我投资的方法,技术分析真的能挣钱吗? 可以。

它其实是跟星座个性差不多的 “统计学”,没有绝对,但仍有一定的效果。但我不用技术分析的理由是:我没有找到一个够稳定的方法。在接触程序交易以后,统计技术分析的绩效方便很多,也再次证明这件事:有人多长期会赚钱的方法,但不一定要追求稳定性。有些方法高胜率,但遭遇的危机波动太大,举例来说,有个方法,也许5年能帮你赚100万元,但过程却需要经历 800万元的起伏。这种稳定性需求很大,我不想做,因为自认没有实力去赚。

新手学投资,不适合稳定性低的方法

如果投资方法的稳定性低,要有很强的心理素质并不是技术分析不好,如果要用技术分析的方法要学会一定要接受常态的失败、及时止损认赔,有获利时要守得住。也会需要大量经验辅助,来提高整体获利的期望值。所以我完全不建议新手去学它,因为新手既没有经验,心理素质也不够强。到底心理素质要有多强,可能需要到像宗教一样信仰的程度。我曾经遇过2~3个技术分析的高手,他们甚至会帮自己的策略、线图型态 “取名”,或是建立一些听起很赚钱的方法,为的就是让自己”发自内心”相信它能赚钱。well…以前我会觉得这些人都在唬烂,但待在这领域,看过不少人以后,我可以相信他们是赚钱的。不过这些方法,完全无法复制到别人身上。曾跟一位学生人数破千 (很理性) 的高手聊天,他也坦白说:

Meta分析已成撤稿重灾区,避免“沦陷”的11个标准

8. 纳入研究的科学性是否恰当地运用在结论的推导上?

9. 合成纳入研究结果的方法是否恰当?

10. 是否评估了发表偏倚的可能性?

11. 是否说明相关利益冲突?

现在AMSTAR开发组得到了加拿大卫生研究院(CIHR)的资助,准备研发针对非随机研究(Non-randomizes Study, NRS)系统综述的评价工具,称为AMSTAR_NSR。但目前似乎未见有成果报道,拭目以待吧。

打起来了,又是因为XPS,好可怕,好刺激!

第二炮:Thill,你可能会说,尽管我的V0可能会错误地低估了,但此时V’也被错误地高估了,因此可能最终结果差不多。但是我还是要说,你错啦!你在论文中说,你的材料中Ce3+的含量在0.20-0.29之间。那么,根据Henderson等人的研究结果,你的Ce 3d5/2的峰形(图2)应该和图6中的曲线c和d类似啦。但是:①你的曲线没有出现V’峰的造成的鼓包;②低结合能处也没有V0引起的宽化。相反地,你的曲线到和图6中的b很相似,表明你材料中Ce3+的含量可能在0.1左右,误差高达100%到190%!因此,我认为你在拟合XPS的时候忽视了Ce3+的峰形结构。

第三炮:你说你的材料中Ce3+的含量在0.20-0.29之间,为什么不给出具体的值呢?从你的结果来看,即使是在纯的CeO2中Ce3+的含量也高达0.20,不应该是0左右吗,这合理吗?这和文献可不一样哦,也和你的XANES的测试结果不一样。这可能是因为存在表面荷电现象(影响XPS的峰形),而且你将材料分散在碳胶带上形成薄层的制样方式也和别人采用压片的方式不一样,表面粗糙度可是会影响测试结果的。我认为你采用XPS测试的Ce3+的含量是不准确的,高估了Ce3+的含量,主要原因就是拟合使用的Ce3+的线形不对。实际上,采用XPS对Ce3+的含量进行定量分析,影响因素有很多:

总而言之,作者忽视了Ce 3d的峰形结构,也没有考察荷电效应对材料峰形的影响,得到的结果不可靠,也就骗骗小孩子。

我的天呐!意大利人Ernesto Paparazzo的正宗“意大利炮”实在是太猛了,头都被炸晕了。Alisson S. Thill怕不是要完了吧,摄像,快跟我走,我们去看看Alisson S. Thill去~

Alisson S. Thill:同志们,不要慌,准备反击!

图7 Alisson S. Thill的反击

第一,我们在拟合Ce 3d的XPS峰时严格遵照了以下的规则:

1)Ce3+(u0, v0, u'和v')和Ce4+(u, v, u'', v'', u'''和v''')的10个组分峰的结合能位置是固定的,因此ΔE也是固定的;

第二,Ernesto Paparazzo说我们的v0/v’仅为0.1,这和Le Normand研究结果中的0.55不一样。这是因为Le Normand的样品是纯的Ce2O3,而我们的是CeO2-x。此外,在Romeo等人的论文中[6],这个比例还仅为0.04,并不是固定不变的。事实上,我们也将这个比例固定在0.55进行了拟合,发现结果根本不好(图8b)。

第三,至于Henderson等研究者的研究结果,Romeo等研究者已经指出他们的研究结果/研究方法并不可靠,尤其在Ce3+含量低于30%的时候。此外,关于峰形的问题,也有很多文献的结果和我们的类似,而不是和Henderson等人一样。

第四,为什么纯的CeO2中Ce3+的含量也高达0.20呢?这是因为我的样品是购买的直径为25 nm的纳米颗粒,因此表面容易被氧化。此外,XPS是表面技术,探测的深度有限,反应的也主要是表面的结果。对于25 nm的颗粒而言,大约只有5%的Ce在表面,因此整体上的Ce3+含量很低,这也是为什么XANES的结果和XPS不一致的原因。至于为什么Romeo等研究者的结果显示纯CeO2中Ce3+的含量只有0.04,因为他用的并不是和我一样的纳米颗粒。

第五,关于荷电效应,我们仔细地对样品尽量了两次扫描,发现峰形几乎没有任何变化,而且我们也合成了一批样品在不同的机器上进行了测试,结果也都是一样的。我们其实在最初论文中的实验部分详细描述了这些。

第六,关于制样问题,本人的原论文是将材料分散在碳胶带上形成薄层,而不是采用压片方式。XPS大佬Fadley早就说过[7],对于粉末样品,上述两种方法都可以。除了本人的研究外,很多研究也是采用类似的方法制样的。

第七,为什么XANES和XPS的结果不一样?一样才不正常呢,因为它们探测的深度不一样嘛!很多文献的结果其实也证明了这点。

总而言之,非常感谢Ernesto Paparazzo教授带来的讨论以及对我们研究结果的兴趣。不过,本人的研究结果并没有什么问题,相关文献也证明了这一点。谢谢大家的关注,都散了吧!

大佬互殴的学术战场真的是好刺激,好精彩!其实XPS测试和分析的要求很高,一不小心就可能出现错误,大家要在研究中多多注意。更详细的内容欢迎大家阅读原文并持续关注我们~

[1] A. S. Thill, W. T. Figueiredo, F. O. Lobato, M. O. Vaz, W. P. Fernandes, V. E. Carvalho, E. A. Soares, F. Poletto, S. R. Teixeira and F. Bernardi, J. Mater. Chem. A, 2020, 8, 24752–24762.

[2] Ernesto Paparazzo, J. Mater. Chem. A, 2021,9, 23722-23725

[3] F. Le Normand, J. El Fallah, L. Hilaire, P. Legare, A. Kotani and J. C. Parlebas, Solid State Commun., 1989, 71, 885–889.

[4] M. A. Henderson, C. L. Perkins, M. H. Engelhard, S. Thevuthasan and C. H. F. Peden, Surf. Sci., 2003, 526, 1–18.

[5] A. S. Thill, W. T. Figueiredo, F. O. Lobato, M. O. Vaz, W. P. Fernandes, V. E. Carvalho, E. A. Soares, F. Poletto, S. R. Teixeira and F. Bernardi, J. Mater. Chem. A, 2021,9, 23726-23730

[6] M. Romeo, K. Bak, J. El Fallah, F. Le 胡扯一点技术分析 Normand and L. Hilaire, Surf. Interface Anal., 1993, 20, 508–512.

[7] C. S. Fadley, in Electron Spectroscopy: Theory, Techniques and Applications, ed. C. R. Brundle and A. D Baker, Academic Press, London, 1978, vol. 2, pp. 2–157.